A floating gate and a fabricating method of the same. A semiconductor
substrate is provided. A gate dielectric layer and a conducting layer are
sequentially formed on the semiconductor substrate. A patterned hard mask
layer having an opening is formed on the conducting layer, wherein a
portion of the conducting layer is exposed through the opening. A spacer
is formed on the sidewall of the opening. The patterned hard mask layer is
removed. A conducting spacer is formed on the sidewall of the spacer. The
exposed conducting layer and the exposed gate dielectric layer are
sequentially removed.
Плавая строб и изготовляя метод этих же. Субстрат полупроводника обеспечен. Слой строба диэлектрический и дирижируя слой последовательн сформированы на субстрате полупроводника. Сделанный по образцу трудный слой маски имея отверстие сформирован на дирижируя слое, при котором часть дирижируя слоя подвергается действию через отверстие. Прокладка сформирована на стенке отверстия. Сделанный по образцу трудный слой маски извлекается. Дирижируя прокладка сформирована на стенке прокладки. , котор подвергли действию дирижируя слой и, котор подвергли действию слой строба диэлектрический последовательн извлечутся.
