A self-pulsating semiconductor laser device includes a semiconductor
substrate of the first conductivity type, a first cladding layer of the
first conductivity type formed on the substrate and an active layer formed
on the first cladding layer. A second cladding layer of a second
conductivity type is formed on the active layer. A saturable absorbing
layer is formed on at least portions of at least one of the first cladding
layer and the second cladding layer. The saturable absorbing layer has a
band gap energy either approximately the same as, or slightly smaller
than, the active layer.
Een zelf-pulseert apparaat van de halfgeleiderlaser omvat een halfgeleidersubstraat van het eerste geleidingsvermogentype, een eerste bekledingslaag van het eerste geleidingsvermogentype dat op het substraat wordt gevormd en een actieve laag die op de eerste bekledingslaag wordt gevormd. Een tweede bekledingslaag van een tweede geleidingsvermogentype wordt gevormd op de actieve laag. Een verzadigbare absorberende laag wordt gevormd op minstens gedeelten van minstens één van de eerste bekledingslaag en de tweede bekledingslaag. De verzadigbare absorberende laag heeft ongeveer een energie van het bandhiaat of het zelfde als, of lichtjes kleiner dan, de actieve laag.
