An optical system (in FIGS. 1A and 1B) wherein a rectilinear laser beam of
homogeneous energy distribution is defined for annealing a non-single
crystalline semiconductor film (a surface to-be-irradiated 1108), is
constructed of reflectors (1106, 1107 etc.) easily and inexpensively
without including lenses of transmission type. The rectilinear laser beam
can be defined having a length of at least 600 (mm) which corresponds to
the shorter latus of a large-sized substrate for mass production.
Un système optique (dans les figues. 1A et 1b) où un rayon laser rectiligne de distribution homogène d'énergie est défini pour recuire un film cristallin non-simple de semi-conducteur (une surface à-être-a irradié 1108), est construite avec des réflecteurs (1106, 1107 etc...) facilement et économiquement sans inclure des objectifs de type de transmission. Le rayon laser rectiligne peut être défini ayant une longueur au moins de 600 (millimètre) qui correspond au latus plus court d'un grand substrat pour la production en série.
