A low cost SRAM (Static Random Access Memory) cell is disclosed with P well
and N well contacts and preferably with a P+ diffusion crossing to ground.
The SRAM cell is complete at the M2 metal level and has improved cell
passgate leakage, functionality and fabrication yields. The SRAM cell
comprises cross coupled pnp pull-up devices P1, P2 and npn pull-down
devices N1, N2, with the P1, P2 devices being connected to the power
supply VDD, and the N1, N2 devices being coupled through a P+ diffusion
region to ground. A first passgate is coupled between a first bitline and
the junction of the devices P1 and N1, with its gate coupled to a
wordline, and a second passgate is coupled between a second bitline and
the junction of devices P2 and N2, with its gate coupled to the wordline.
Una cellula di basso costo SRAM (memoria di accesso casuale statica) è rilevata con i contatti del pozzo di P e del pozzo di N e preferibilmente con una diffusione di P+ che attraversa a terra. La cellula di SRAM è completa al livello di metallo di m2 ed ha migliorato la perdita del passgate delle cellule, la funzionalità ed i rendimenti di montaggio. La cellula di SRAM contiene il pnp coppia traversa tira -in su i dispositivi P1, i dispositivi pull-down N1 del npn e di P2, il N2, con il P1, i dispositivi P2 che sono collegati al gruppo di alimentazione VDD ed il N1, dispositivi del N2 che sono accoppiati con una regione di diffusione di P+ alla terra. Un primo passgate è accoppiato fra un primo bitline e la giunzione dei dispositivi P1 e N1, con il relativo cancello accoppiato ad un wordline e un secondo passgate è accoppiato fra un secondo bitline e la giunzione dei dispositivi P2 ed il N2, con il relativo cancello accoppiato al wordline.
