Semiconductor chip, wiring board and manufacturing process thereof as well as semiconductor device

   
   

A semiconductor chip which does not increase the thickness or the board area of a semiconductor device wherein semiconductor chips are layered and does not increase the wire length between the semiconductor chips even in the case that a plurality of semiconductor chips are layered on a wiring board and a process thereof, as well as a semiconductor device, and the like, are provided. The semiconductor chip has a semiconductor substrate 13, first external electrodes 21 formed on the first surface 14 of the semiconductor substrate 13, second external electrodes 22 formed on the second surface 17 of the semiconductor substrate 13 and through holes 16 created in the semiconductor substrate 13, wherein the through holes 16 are provided in the inclined planes 15 formed so that the inner angles made up of the second surface 17 and the inclined planes 15 are obtuse angles and the first external electrodes 21 and the second external electrodes 22 are electrically connected through conductive patterns 19 formed so as to follow the inner walls of the through holes 16 and the inclined planes 15.

Een halfgeleiderspaander die niet de dikte verhoogt of het raadsgebied van een halfgeleiderapparaat waarin de halfgeleiderspaanders gelaagd zijn en verhoogt niet de draadlengte tussen de halfgeleider afbreekt zelfs in het geval dat een meerderheid van halfgeleiderspaanders op een telegraferende raad en een proces daarvan gelaagd is, evenals worden een halfgeleiderapparaat, en dergelijke, verstrekt. De halfgeleiderspaander heeft een halfgeleidersubstraat 13, eerste externe elektroden 21 die op eerste oppervlakte 14 van halfgeleidersubstraat 13 worden gevormd, tweede externe elektroden 22 die op tweede oppervlakte 17 van halfgeleidersubstraat 13 worden gevormd en door gaten 16 die in halfgeleidersubstraat 13 worden gecreeerd, waarin door gaten 16 in geneigde gevormde vliegtuigen 15 worden verstrekt zodat de binnenhoeken die uit tweede oppervlakte 17 worden samengesteld en geneigde vliegtuigen 15 stomp zijn worden de hoeken en eerste externe elektroden 21 en tweede externe elektroden 22 elektrisch door geleidende patronen 19 verbonden worden gevormd die om de binnenmuren van gaten 16 en geneigde vliegtuigen 15 te vervolledigen

 
Web www.patentalert.com

< Method for fabricating a lid for a wafer level packaged optical MEMS device

< Plasma polymerized electron beam resist

> Association of process context with configuration document for manufacturing process

> Custom electrodes for molecular memory and logic devices

~ 00162