Custom electrodes for molecular memory and logic devices

   
   

A method is provided for fabricating molecular electronic devices comprising at least a bottom electrode and a molecular switch film on the bottom electrode. The method includes forming the bottom electrode by a process including: cleaning portions of the substrate where the bottom electrode is to be deposited; pre-sputtering the portions; depositing a conductive layer on at least the portions; and cleaning the top surface of the conductive layer. Advantageously, the conductive electrode properties include: low or controlled oxide formation (or possibly passivated), high melting point, high bulk modulus, and low diffusion. Smooth deposited film surfaces are compatible with Langmuir-Blodgett molecular film deposition. Tailored surfaces are further useful for SAM deposition. The metallic nature gives high conductivity connection to molecules. Barrier layers may be added to the device stack, i.e., Al.sub.2 O.sub.3 over the conductive layer.

Un método se proporciona para fabricar los dispositivos electrónicos moleculares que abarcan por lo menos un electrodo de tierra y una película molecular del interruptor en el electrodo de tierra. El método incluye la formación del electrodo de tierra por un proceso incluyendo: porciones de limpieza del substrato donde está ser depositado el electrodo de tierra; pre-farfulla de las porciones; depositar una capa conductora en por lo menos las porciones; y limpieza la superficie superior de la capa conductora. Ventajoso, las características conductoras del electrodo incluyen: formación baja o controlada del óxido (o apaciguado posiblemente), punto de fusión del colmo, módulo a granel alto, y difusión baja. Las superficies depositadas lisas de la película son compatibles con la deposición molecular de la película de Langmuir-Blodgett. Las superficies adaptadas son más a fondo útiles para la deposición del SAM. La naturaleza metálica da la alta conexión de la conductividad a las moléculas. Las capas de barrera se pueden agregar al apilado del dispositivo, es decir, Al.sub.2 O.sub.3 sobre la capa conductora.

 
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< Semiconductor chip, wiring board and manufacturing process thereof as well as semiconductor device

< Association of process context with configuration document for manufacturing process

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> Method of reducing stress migration in integrated circuits

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