A programmable memory cell comprised of a transistor located at the
crosspoint of a column bitline and a row wordline is disclosed. The
transistor has its gate formed from the column bitline and its source
connected to the row wordline. The memory cell is programmed by applying a
voltage potential between the column bitline and the row wordline to
produce a programmed n+region in the substrate underlying the gate of the
transistor.
Uma pilha de memória programável compreendida de um transistor situado no crosspoint de um bitline da coluna e de um wordline da fileira é divulgada. O transistor tem sua porta dada forma do bitline da coluna e sua fonte conectado ao wordline da fileira. A pilha de memória é programada aplicando um potencial da tensão entre o bitline da coluna e o wordline da fileira produzir um n+region programado na carcaça subjacente a porta do transistor.
