Non-volatile memory cell with a single semiconductor device per memory
cell. The present invention generally allows for a plurality of memory
cells to be formed on a semiconductor substrate that supports a
semiconductor device. A multi-resistive state material layer that changes
its resistive state between a low resistive state and a high resistive
state upon application of a voltage pulse is formed above the substrate,
generally at a very high temperature. While the layers fabricated between
the substrate and the multi-resistive state material use materials that
can withstand high temperature processing, the layers fabricated above the
multi-resistive state material do not need to withstand high temperature
processing.
Слаболетучей ячейкы памяти с одиночный прибора на полупроводниках в ячейкы памяти. Присытствыющий вымысел вообще позволяет для множественности ячейкы памяти быть сформированным на субстрате полупроводника поддерживает прибора на полупроводниках. Слой мулти-soprotivl4h5ego положения материальный изменяет свое сопротивляющее положение между низким сопротивляющим положением и высоким сопротивляющим положением на применении ИМПА ульс напряжения тока формирует над субстратом, вообще на очень высокой температуре. Пока слои изготовленные между субстратом и материалами пользы мулти-soprotivl4h5ego положения материальными могут выдержать высокую температуру обрабатывая, слои изготовленные над мулти-soprotivl4h5im материалом положения выдержать высокий обрабатывать температуры.
