A method of and apparatus for measuring line profile asymmetries in
microelectronic devices comprising directing light at an array of
microelectronic features of a microelectronic device, detecting light
scattered back from the array comprising either or both of one or more
angles of reflection and one or more wavelengths, and comparing one or
more characteristics of the back-scattered light by examining data from
complementary angles of reflection or performing a model comparison.
Een methode van en een apparaat om asymmetrie die van het lijnprofiel te meten in micro-electronische apparaten leidend licht bij een serie van micro-electronische eigenschappen die van een micro-electronisch apparaat, licht ontdekken verspreidden zich terug van de serie bestaand uit één van beiden of zowel van één of meerdere terugkaatsingshoeken als één of meerdere golflengten, en vergelijkend één of meerdere kenmerken van het omgekeerde licht door gegevens van bijkomende terugkaatsingshoeken te onderzoeken of een modelvergelijking uit te voeren de bestaan uit.
