A semiconductor memory device has a cell array, first normal elements each
defined within the cell array as a group of memory cells arranged in a
first direction of the cell array, second normal elements each defined
within the cell array as a group of memory cells arranged in a second
direction of the cell array, each the second normal element selecting a
memory cells in operative association with a corresponding one of the
first normal elements, first redundant elements disposed for replacement
of defective first normal elements within the cell array, and second
redundant elements disposed for replacement of defective second normal
elements within the cell array. There are defined within the cell array
first/second repair regions as a group of first/second normal elements
with permission of replacement by each first/second redundant element.
Un dispositivo di memoria a semiconduttore ha un allineamento delle cellule, i primi elementi normali ciascuno definito all'interno dell'allineamento delle cellule come gruppo delle cellule di memoria organizzate in un primo senso dell'allineamento delle cellule, i secondi elementi normali ciascuno definito all'interno dell'allineamento delle cellule come gruppo delle cellule di memoria organizzate in un secondo senso dell'allineamento delle cellule, ogni il secondo elemento normale che seleziona le cellule di memoria nell'associazione attiva con corrispondente dei primi elementi normali, primi elementi ridondanti disposti di per il rimontaggio dei primi elementi normali difettosi all'interno dell'allineamento delle cellule e degli elementi in secondo luogo ridondanti disposti di per il rimontaggio dei secondi elementi normali difettosi all'interno dell'allineamento delle cellule. Là sono definiti all'interno delle regioni di riparazione di allineamento first/second delle cellule come gruppo degli elementi normali di first/second con permesso del rimontaggio da ogni elemento ridondante di first/second.
