The present invention prevents production of residue which causes
short-circuit between word lines. A memory cell comprises a channel
formation region CH, charge storage films CSF each comprised of a
plurality of stacked dielectric films, two storages comprised of regions
of the charge storage films CSF overlapping the two ends of the channel
formation region CH, a single-layer dielectric film DF2 contacting the
channel formation region CH between the storages, auxiliary layers (for
example, bit lines BL1 and BL2) formed on two impurity regions S/D, two
first control electrodes CG1 and CG2 formed on the auxiliary layers with
dielectric film interposed and positioned on the storages, and a second
control electrode WL buried in a state insulated from the first control
electrodes CG1 and CG2 in a space between them and contacting the
single-layer dielectric film DF2. Since the main regions on facing
surfaces of the first control electrodes CG1 and CG2 become forward
tapered, conductive residue is not left at the time of processing the
second control electrode WL.
Die anwesende Erfindung verhindert Produktion des Überrests, der Kurzschluß zwischen Wortlinien verursacht. Eine Speicherzelle enthält eine Führung Anordnung Region CH, filmet Aufladung Speicher CSF jeden, der von einer Mehrzahl der dielektrischen Staplungsfilme enthalten wird, filmet zwei Ablagen, die von den Regionen des Aufladung Speichers enthalten werden, CSF, welche mit den zwei Enden der Führung Anordnung Region CH, ein einlagiger dielektrischer Film sich deckt DF2, welche mit der Führung Anordnung Region CH zwischen den Ablagen, die zusätzlichen Schichten in Verbindung tritt (zum Beispiel, Spitze Linien BL1 und BL2) gebildet auf zwei Verunreinigung Regionen S/D, bildeten sich zwei erste Steuerelektroden CG1 und CG2 auf den zusätzlichen Schichten mit dem dielektrischen Film, der auf die Ablagen vermittelt wurde und in Position gebracht war, und eine zweite Steuerelektrode Horizontalebene begrub in einem Zustand, der von den ersten Steuerelektroden CG1 isoliert wurde und CG2 in einem Raum zwischen ihnen und mit dem einlagigen dielektrischen Film DF2 in Verbindung tretend. Seit den Hauptregionen auf Einfassungoberflächen der ersten Steuerelektroden CG1 und CG2 werden vorwärts sich verjüngender, leitender Überrest wird verlassen nicht zu der Zeit der Verarbeitung der zweiten Steuerelektrode Horizontalebene.
