A photodetector circuit incorporates an avalanche photodiode (APD) 300
produced by epitaxy on a CMOS substrate 302 with implanted n-well 304 and
p-well 306. The n-well 304 has an implanted p+ guard ring 310 delimiting
the APD 300. Within the guard ring 310 is an implanted n+ APD layer 312
upon which is deposited an epitaxial p+ APD layer 314, these layers
forming the APD 300. The APD may be incorporated in an amplifier circuit
50 providing feedback to maintain constant bias voltage, and may include
an SiGe absorption region to provide extended long wavelength response or
lower avalanche voltage. Non-avalanche photodiodes may also be used.
Een fotodetectorkring neemt een lawinefotodiode (APD) 300 geproduceerd op door epitaxy op een CMOS substraat 302 met geïnplanteerde n-goed 304 en p-goed 306. N-put 304 heeft geïnplanteerd p + wachtring 310 afbakenend APD 300, Binnen de wacht is ring 310 geïnplanteerd n + APD laag 312 waarop epitaxial p + APD laag 314 wordt gedeponeerd, deze lagen die APD 300 vormen. APD kan in een versterkerkring 50 worden opgenomen die terugkoppeling geeft om constant bias voltage te handhaven, en kan een SiGe absorptiegebied omvatten om uitgebreide lange golflengtereactie of lager lawinevoltage te verstrekken. De fotodiodes van de niet-lawine kunnen ook worden gebruikt.
