ESD protection devices and methods of forming them are provided in this
invention. By employing the thin gate oxide fabricated by a dual gate
oxide process and breakdown-enhanced layers, ESD protection devices with a
lower trigger voltage are provided. The NMOS structure for ESD protection
according to the present invention has islands, a control gate and
breakdown-enhanced layers. These islands as well as the breakdown-enhanced
layers overlapping the drain region of the NMOS reduce the breakdown
voltage of the PN junction in the drain region, thereby reducing the ESD
trigger voltage and improving the ESD protection level of the NMOS.
Furthermore, the invention is applicable to general integrated-circuit
processes as well as various ESD protection devices.
ESD Schutzvorrichtungen und Methoden der Formung sie werden in dieser Erfindung zur Verfügung gestellt. Indem Sie das dünne Gatteroxid einsetzen, das durch ein Doppelgatteroxid fabriziert wird, verarbeiten Sie und Zusammenbruch-erhöhte Schichten, ESD Schutzvorrichtungen mit einer niedrigeren Trigger-Spannung werden zur Verfügung gestellt. Die NMOS Struktur für ESD Schutz entsprechend der anwesenden Erfindung hat Inseln, ein Steuergatter und Zusammenbruch-erhöhte Schichten. Diese Inseln sowie die Zusammenbruch-erhöhten Schichten, die mit der Abflußregion des NMOS sich decken, verringern die Durchbruchsspannung der PN Verzweigung in der Abflußregion, dadurch sieverringern sieverringern die ESD Trigger-Spannung und verbessern das ESD Schutzniveau des NMOS. Ausserdem ist die Erfindung auf allgemeine Schaltungprozesse sowie verschiedene ESD Schutzvorrichtungen anwendbar.
