A nitride semiconductor light-emitting device includes an emission layer
(103) formed on a substrate (100), and the emission layer includes a
quantum well layer of GaN.sub.1-x-y-z As.sub.x P.sub.y Sb.sub.z
(0
Μια εκπέμπουσα φως συσκευή ημιαγωγών νιτριδίων περιλαμβάνει ένα στρώμα εκπομπής (103) που διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα (100), και το στρώμα εκπομπής περιλαμβάνει ένα κβαντικό καλά στρώμα του γαΝ.σuψ.1-Χ-Υ-ζ As.sub.x P.sub.y Sb.sub.z (0
