A lateral semiconductor device (10) has a semiconductor layer (15) on an
insulating substrate (16). The semiconductor layer (15) has a first region
(12) of a first conduction type and a second region (13) of a second
conduction type with a drift region (14) therebetween. The drift region
(14) is provided by a third region (14") of the first conduction type and
a fourth region (14') of the second conduction type. The third and fourth
(drift) regions (14",14') are so arranged that when a reverse voltage bias
is applied across the first and second regions (12,13) of the
semiconductor layer (15), the third region (14") has locally in the
proximity of the first region (12) an excess of impurity charge relative
to the fourth region (14'), and the fourth region (14') has locally in the
proximity of the second region (13) an excess of impurity charge relative
to the third region (14"), and the total volume charge in the third region
(14") is substantially equal to the total volume charge in the fourth
region (14').
Ein seitliches Halbleiterelement (10) hat eine Halbleiterschicht (15) auf einem isolierenden Substrat (16). Die Halbleiterschicht (15) hat eine erste Region (12) einer ersten Übertragung Art und eine zweite Region (13) einer zweiten Übertragung Art mit einer Antriebregion (14) therebetween. Die Antriebregion (14) wird von einer dritten Region (14") der ersten Übertragung Art und von einer vierten Region (14 ') der zweiten Übertragung Art zur Verfügung gestellt. Die dritten und vierten (Antrieb) Regionen (14", 14 ') sind also geordnet, daß, wenn eine Rückspannung Vorspannung über den ersten und zweiten Regionen (12.13) der Halbleiterschicht (15) angewendet wird, die dritte Region (14") am Ort in der Nähe der ersten Region (12) einen Überfluß der Verunreinigung Aufladung im Verhältnis zu der vierten Region (14 ') und in der vierten Region (14 ') hat am Ort in der Nähe der zweiten Region (13) einen Überfluß der Verunreinigung Aufladung im Verhältnis zu der dritten Region (14") hat und die Gesamtvolumenaufladung in der dritten Region (14") ist Gleichgestelltes zur Gesamtvolumenaufladung in der vierten Region (14 ').
