A photodiode (111) and resistors (121) are formed on a semi-insulating InP
substrate (101). The photodiode (111) is formed by subjecting a layered
structure formed by successively depositing an n.sup.+ -type InP cladding
layer (102), an n-type InGaAsP core layer (103), a nondoped InGaAs active
layer (104), a p-type InGaAsP core layer (105), and a p.sup.+ -type InP
cladding layer 106 on the InP substrate (101) to a selective etching
process. The resistors (121) have the same layered structure as the
photodiode (111). Photodiode (111) is connected to n-type wiring lines
(131) and a p-type wiring line (141). Resistors (121) are connected to the
n-type wiring lines (131) and the p-type wiring line (141) in parallel to
the photodiode (111). A side surface on the side of the photodiode (111)
of the InP substrate (101) is a cleavage plane, and the cleavage plane is
coated with an antireflection film (161). Since the resistors (121) have a
p-type semiconductor layer having a high resistivity, the resistors (121)
can be formed in a big width. Consequently, change of resistance
corresponding to change of the width of the resistor is small and hence
matching can be easily achieved.
Een fotodiode (111) en weerstanden (121) worden gevormd op een semi-insulating substraat InP (101). Fotodiode (111) wordt gevormd door een gelaagde structuur te onderwerpen gevormd door opeenvolgend te deponeren n.sup. + - typ InP bekledingslaag (102), nondoped een n-type InGaAsP kernlaag (103), a actieve laag InGaAs (104), een p-type InGaAsP kernlaag (105), en p.sup. + - typt InP bekledingslaag 106 op het InP substraat (101) aan een selectief etsproces. Weerstanden (121) hebben de zelfde gelaagde structuur zoals de fotodiode (111). Fotodiode (111) wordt verbonden met n-type bedradingslijnen (131) en een p-type bedradingslijn (141). Weerstanden (121) worden verbonden met n-type bedradingslijnen (131) en p-type bedradingslijn (141) tegelijkertijd parallel met de fotodiode (111). Een zijoppervlakte aan de kant van fotodiode (111) van het InP substraat (101) is een splijtenvliegtuig, en het splijtenvliegtuig is met een laag bedekt met een antireflection film (161). Aangezien weerstanden (121) een p-type halfgeleiderlaag hebben die een hoog weerstandsvermogen heeft, kunnen weerstanden (121) in een grote breedte worden gevormd. Derhalve verandering die van weerstand is aan verandering van de breedte van de weerstand de beantwoordt klein en vandaar kan de aanpassing gemakkelijk worden bereikt.
