A multistage voltage multiplying circuit for single chip passive RF tags is
provided, wherein the parasitic capacitance of the diodes of each stage of
the voltage multiplying circuit is much less than the parasitic
capacitance of the diodes of the preceding stage.
Обеспечено многошаговое напряжение тока тока цепь для бирок rf одиночного обломока пассивных, при котором паразитная емкость диодов каждого этапа напряжения тока тока цепь очень чем паразитная емкость диодов предшествующего этапа.
