Gated field emission devices and systems and methods for their fabrication
are described. A method includes growing a substantially vertically
aligned carbon nanostructure, the substantially vertically aligned carbon
nanostructure coupled to a substrate; covering at least a portion of the
substantially vertically aligned carbon nanostructure with a dielectric;
forming a gate, the gate coupled to the dielectric; and releasing the
substantially vertically aligned carbon nanostructure by forming an
aperture in the gate and removing a portion of the dielectric.
Описаны отстробированные приспособления излучения поля и системы и методы для их изготовления. Метод вклюает расти существенн вертикальн выровнянное nanostructure углерода, существенн вертикальн выровнянное nanostructure углерода соединенный к субстрату; покрывать по крайней мере часть существенн вертикальн выровнянного nanostructure углерода с диэлектриком; формирующ строб, строб соединенный к диэлектрику; и выпускающ существенн вертикальн выровнянное nanostructure углерода путем формировать апертуру в стробе и извлекать часть диэлектрика.
