Gated fabrication of nanostructure field emission cathode material within a device

   
   

Gated field emission devices and systems and methods for their fabrication are described. A method includes growing a substantially vertically aligned carbon nanostructure, the substantially vertically aligned carbon nanostructure coupled to a substrate; covering at least a portion of the substantially vertically aligned carbon nanostructure with a dielectric; forming a gate, the gate coupled to the dielectric; and releasing the substantially vertically aligned carbon nanostructure by forming an aperture in the gate and removing a portion of the dielectric.

Описаны отстробированные приспособления излучения поля и системы и методы для их изготовления. Метод вклюает расти существенн вертикальн выровнянное nanostructure углерода, существенн вертикальн выровнянное nanostructure углерода соединенный к субстрату; покрывать по крайней мере часть существенн вертикальн выровнянного nanostructure углерода с диэлектриком; формирующ строб, строб соединенный к диэлектрику; и выпускающ существенн вертикальн выровнянное nanostructure углерода путем формировать апертуру в стробе и извлекать часть диэлектрика.

 
Web www.patentalert.com

< Composition and method for adhesion of color filters to a faceplate panel of a cathode ray tube (CRT)

< Compositions and methods for separation of moieties on chips

> Memory device with active and passive layers

> Nanotube semiconductor devices and methods for making the same

~ 00163