Lanthanum complex and process for the preparation of a BLT layer using same
   
   

A lanthanum complex of formula (I) having a low evaporation temperature can be used as a useful precursor for MOCVD of a BLT thin layer on semiconductor devices. ##STR1## wherein A is pentamethyldiethylenetriamine(PMDT) or triethoxytriethyleneamine(TETEA).

Um complexo do lanthanum da fórmula (I) que tem uma temperatura baixa da evaporação pode ser usado como um precursor útil para o MOCVD de um BLT mergulha finamente em dispositivos de semicondutor. ## do ## STR1 wherein A é pentamethyldiethylenetriamine(PMDT) ou triethoxytriethyleneamine(TETEA).
 
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