A lanthanum complex of formula (I) having a low evaporation temperature can
be used as a useful precursor for MOCVD of a BLT thin layer on
semiconductor devices.
##STR1##
wherein A is pentamethyldiethylenetriamine(PMDT) or
triethoxytriethyleneamine(TETEA).
Um complexo do lanthanum da fórmula (I) que tem uma temperatura baixa da evaporação pode ser usado como um precursor útil para o MOCVD de um BLT mergulha finamente em dispositivos de semicondutor. ## do ## STR1 wherein A é pentamethyldiethylenetriamine(PMDT) ou triethoxytriethyleneamine(TETEA).