Release resistant electrical interconnections for MEMS devices

   
   

A release resistant electrical interconnection comprising a gold-based electrical conductor compression bonded directly to a highly-doped polysilicon bonding pad in a MEMS, IMEMS, or MOEMS device, without using any intermediate layers of aluminum, titanium, solder, or conductive adhesive disposed in-between the conductor and polysilicon pad. After the initial compression bond has been formed, subsequent heat treatment of the joint above 363 C creates a liquid eutectic phase at the bondline comprising gold plus approximately 3 wt % silicon, which, upon re-solidification, significantly improves the bond strength by reforming and enhancing the initial bond. This type of electrical interconnection is resistant to chemical attack from acids used for releasing MEMS elements (HF, HCL), thereby enabling the use of a "package-first, release-second" sequence for fabricating MEMS devices. Likewise, the bond strength of an Au--Ge compression bond may be increased by forming a transient liquid eutectic phase comprising Au-12 wt % Ge.

Uma interconexão elétrica resistente da liberação que compreende uma compressão elétrica ouro-baseada do condutor ligou-se diretamente a uma almofada de ligação elevado-highly-doped do polysilicon em um dispositivo de MEMS, de IMEMS, ou de MOEMS, sem usar nenhumas camadas intermediárias de alumínio, de titânio, de solda, ou de adesivo condutor disposto entre o condutor e a almofada do polysilicon. Depois que a ligação inicial da compressão foi dada forma, o tratamento de calor subseqüente da junção acima de 363 C cría uma fase eutectic líquida no bondline que compreende o ouro mais % do silicone de aproximadamente 3 pesos, que, em cima do re-re-solidification, melhora significativamente a força bond reformando e realçando a ligação inicial. Este tipo de interconexão elétrica é resistente ao ataque químico dos ácidos usados liberando os elementos de MEMS (HF, HCL), desse modo permitindo o uso de um "pacote-primeiro, liber-segunda" seqüência para fabricar dispositivos de MEMS. Do mesmo modo, a força bond de um au -- a ligação da compressão do Ge pode ser aumentada dando forma a uma fase eutectic líquida transiente que compreende % do Ge do peso Au-12.

 
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