The invention is a semiconductor avalanche photodetector including an
essentially undoped multiplication layer; a thin, undoped light absorbing
layer; and a doped waveguide layer which is separate from the light
absorbing layer and is capable of coupling incident light into the light
absorbing layer.
Вымыслом будет фотодетектор лавины полупроводника включая необходимо undoped слой умножения; тонкий, undoped светлый absorbing слой; и данный допинг слой волновода separate from светлый absorbing слой и способно света случая соединения в светлый absorbing слой.
