Low cross talk resistive cross point memory devices are provided, along
with methods of manufacture and use. The memory device comprises a bit
formed using a perovskite material interposed at a cross point of an upper
electrode and lower electrode. Each bit has a resistivity that can change
through a range of values in response to application of one, or more,
voltage pulses. Voltage pulses may be used to increase the resistivity of
the bit, decrease the resistivity of the bit, or determine the resistivity
of the bit. Memory circuits are provided to aid in the programming and
read out of the bit region.
De lage dwars het geheugenapparaten worden van het besprekings weerstand biedende dwarspunt verstrekt, samen met methodes van vervaardiging en gebruik. Het geheugenapparaat bestaat uit een gevormd beetje gebruikend een perovskite materiaal dat op een dwarspunt van een hogere elektrode en lagere elektrode wordt ingevoegd. Elk beetje heeft een weerstandsvermogen dat door een waaier van waarden in antwoord op toepassing van één kan veranderen, of meer, voltageimpulsen. De impulsen van het voltage kunnen worden gebruikt om het weerstandsvermogen van het beetje te verhogen, het weerstandsvermogen van het beetje te verminderen, of het weerstandsvermogen van het beetje te bepalen. De kringen van het geheugen worden verstrekt aan hulp in de programmering en uit het beetjegebied gelezen.
