A method is disclosed for measuring the dose and energy level of ion
implants forming a shallow junction in a semiconductor sample. In the
method, two independent measurements of the sample are made. The first
measurement monitors the response of the sample to periodic excitation. In
the illustrated embodiment, the modulated optical reflectivity of a
reflected probe beam is monitored to provide information related to the
generation of thermal and/or plasma waves in the sample. A second
spectroscopic measurement is also performed. This measurement could be
either a spectroscopic reflectometry measurement or a spectroscopic
ellipsometry measurement. The data from the two measurements are combined
in a manner to yield information about both the dose (concentration) of
the dopants as well as the energy used to inject the dopants in the
semiconductor lattice. The method will useful in controlling the formation
of shallow junctions.
Een methode wordt voor het meten van het dosis en energieniveau dat van ionenimplants onthuld een ondiepe verbinding in een halfgeleidersteekproef vormt. In de methode, worden twee onafhankelijke metingen van de steekproef gemaakt. De eerste meting controleert de reactie van de steekproef op periodieke opwinding. In de geïllustreerde belichaming, wordt het gemoduleerde optische reflectievermogen van een weerspiegelde sondestraal gecontroleerd om informatie te verstrekken met betrekking tot de generatie van thermische en/of plasmagolven in de steekproef. Een tweede spectroscopische meting wordt ook uitgevoerd. Deze meting zou of een spectroscopische reflectometriemeting of een spectroscopische ellipsometry meting kunnen zijn. De gegevens van de twee metingen worden gecombineerd op een manier om informatie over zowel de dosis (concentratie) de additieven evenals de energie op te brengen die wordt gebruikt om de additieven in het halfgeleiderrooster in te spuiten. De methode zal nuttig in het controleren van de vorming van ondiepe verbindingen.
