A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, an interlayer
insulating film including a first insulating film formed above the
substrate and having a relative dielectric constant smaller than 2.5 and a
second insulating film formed to cover the first insulating film and
having a relative dielectric constant larger than that of the first
insulating film, and a buried wiring formed within the interlayer
insulating film. A bottom portion of the second insulating film is buried
in the first insulating film at a number of points.
Un dispositivo a semiconduttore contiene un substrato a semiconduttore, una pellicola isolante dello strato intermedio compreso una prima pellicola isolante formata sopra il substrato e fare formare un costante dielettrico relativo più piccolo di 2.5 e una seconda pellicola isolante per coprire la prima pellicola isolante ed avere un costante dielettrico relativo più grande di quello della prima pellicola isolante ed i collegamenti sepolti formati all'interno della pellicola isolante dello strato intermedio. Una parte inferiore della seconda pellicola isolante è sepolta nella prima pellicola isolante ad un certo numero di punti.
