P-channel MOSFET devices are used as reprogrammable fuse or antifuse
elements in a memory decode circuit by utilizing anomalous hole
generation. An applied negative gate bias voltage is sufficiently large to
cause tunnel electrons to gain enough energy to exceed the band gap energy
of the oxide. This causes energetic hole-electron pairs to be generated in
the silicon substrate. The holes are then injected from the substrate into
the oxide, where they remain trapped. A large shift in the threshold
voltage of the p-channel MOSFET results. The device can subsequently be
reset by applying a positive gate bias voltage. Various circuits
incorporating such fuse or antifuse elements are also disclosed.
P-channel mosfet οι συσκευές χρησιμοποιούνται ως reprogrammable θρυαλλίδα ή antifuse τα στοιχεία σε μια μνήμη αποκωδικοποιούν το κύκλωμα με τη χρησιμοποίηση της ανώμαλης παραγωγής τρυπών. Μια εφαρμοσμένη αρνητική προκατειλημμένη τάση πυλών είναι αρκετά μεγάλη για να αναγκάσει τα ηλεκτρόνια σηράγγων για να κερδίσει αρκετή ενέργεια για να υπερβεί την ενέργεια χάσματος ζωνών του οξειδίου. Αυτό αναγκάζει τα ενεργητικά ζευγάρια τρύπα-ηλεκτρονίων για να παραχθεί στο υπόστρωμα πυριτίου. Οι τρύπες εγχέονται έπειτα από το υπόστρωμα στο οξείδιο, όπου παραμένουν παγιδευμένες. Μια μεγάλη μετατόπιση στην τάση κατώτατων ορίων p-channel mosfet οδηγεί. Η συσκευή μπορεί στη συνέχεια να επαναρυθμιστεί με την εφαρμογή μιας θετικής προκατειλημμένης τάσης πυλών. Τα διάφορα κυκλώματα που ενσωματώνουν τέτοια θρυαλλίδα ή antifuse τα στοιχεία αποκαλύπτονται επίσης.
