Non-volatile memory cell with a single semiconductor device per memory
cell. The present invention generally allows for a plurality of memory
cells to be formed on a semiconductor substrate that supports a
semiconductor device. A multi-resistive state material layer that changes
its resistive state between a low resistive state and a high resistive
state upon application of a voltage pulse is formed above the substrate,
generally at a very high temperature. While the layers fabricated between
the substrate and the multi-resistive state material use materials that
can withstand high temperature processing, the layers fabricated above the
multi-resistive state material do not need to withstand high temperature
processing.
Cellula di memoria non volatile con un singolo dispositivo a semiconduttore per la cellula di memoria. La presente invenzione tiene conto generalmente una pluralità di cellule di memoria essere formata su un substrato a semiconduttore che sostiene un dispositivo a semiconduttore. Un multi-resistente dichiara lo strato materiale che cambia il relativo resistente dichiara fra un resistente basso dichiara e un alto resistente dichiara sull'applicazione di un impulso di tensione è formato sopra il substrato, generalmente molto ad un a temperatura elevata. Mentre gli strati fabbricati fra il substrato ed il multi-resistente dichiarano i materiali materiali di uso che possono sostenere l'elaborazione a temperatura elevata, gli strati fabbricati sopra il multi-resistente dichiarano il materiale non devono sostenere l'elaborazione a temperatura elevata.
