The invention is based on a method for examining structures on a
semiconductor substrate. The structures are imaged with X-radiation in an
X-ray microscope. The wavelength of the X-radiation is established as a
function of the thickness of the semiconductor substrate in such a way
that both a suitable transmission of the X-radiation through the
semiconductor substrate and a high-contrast image are obtained. As a
result, the structures can be observed continuously with short exposure
times, high resolution and even while they are in operation.
A invenção é baseada em um método para examinar estruturas em uma carcaça do semicondutor. As estruturas são imaged com X-radiação em um microscópio do raio X. O wavelength da X-radiação é estabelecido em função da espessura da carcaça do semicondutor de tal maneira que uma transmissão apropriada da X-radiação através da carcaça do semicondutor e uma imagem high-contrast são obtidas. Em conseqüência, as estruturas podem ser observadas continuamente com os tempos curtos da exposição, de alta resolução e mesmo quando estiverem na operação.
