An attenuating embedded phase shift photomask blank that produces a phase
shift of the transmitted light is formed with an optically translucent
film made of metal, silicon, nitrogen or metal, silicon, nitrogen and
oxygen. A wide range of optical transmission (0.001% up to 20% at 193 nm)
is obtained by this process. A post deposition process is implemented to
obtain the desired properties (stability of optical properties with
respect to laser irradiation and acid treatment) for use in industry. A
special fabrication process for the sputter target is implemented to lower
the defects of the film.
Atténuer a inclus le blanc de photomask de déphasage qui produit déphasage de la lumière transmise est formé avec un film optiquement translucide fait de métal, silicium, azote ou métal, silicium, azote et oxygène. Un éventail de la transmission optique (0.001% jusqu'à 20% à 193 nm) est obtenu par ce processus. Un procédé de dépôt de poteau est mis en application pour obtenir les propriétés désirées (stabilité des propriétés optiques en ce qui concerne l'irradiation de laser et le traitement de l'acide) pour l'usage dans l'industrie. Un processus spécial de fabrication pour la cible de pulvérisation est mis en application pour abaisser les défauts du film.
