Polycrystalline gallium nitride (GaN) characterized by having the atomic
fraction of gallium ranging from between about 49% to 55%, an apparent
density of between about 5.5 and 6.1 g/cm.sup.3, and a Vickers hardness of
above about 1 GPa. Polycrystalline GaN can be made by hot isostatic
pressing (HIPing) at a temperature ranging from about 1150.degree. C. to
1300.degree. C. and a pressure ranging from between about 1 and 10 Kbar.
Alternatively, polycrystalline GaN can be made by high pressure/high
temperature (HP/HT) sintering at a temperature ranging from about
1200.degree. to 1800.degree. C. and a pressure ranging from about 5 to 80
Kbar.
Поликристаллический нитрид галлия (GaN), котор характеризует путем иметь атомную часть галлия заколебаться от около 49% к 55%, явно плотности между около 5.5 и 6.1 g/cm.sup.3, и твердости Vickers вышеуказанного около 1 ГПа. Поликристаллическ ГаН может быть сделан горячий изостатический отжимать (HIPing) на температурной амплитуде от около 1150.degree. C к 1300.degree. C и давление колебаясь от между около 1 и 10 Kbar. Друг, поликристаллическое GaN может быть сделано высокой температурой pressure/high (HP/HT) спекая на температурной амплитуде от около 1200.degree. к 1800.degree. C и давление колебаясь от около 5 до 80 Kbar.
