A semiconductor laser device includes a lower cladding layer of
n-(Al0.66Ga0.34)0.5In0.5P, an active layer having a window structure which
has a disordered MQW structure, a first upper cladding layer of
p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P, and a second upper cladding layer of
(Al0.66Ga0.34)0.5In0.5P sequentially disposed on an n-GaAs substrate. The
refractive index of the first upper cladding layer is smaller than that of
the lower cladding layer, and refractive index of the second upper
cladding layer is larger than that of the first upper cladding layer and
identical to that of the lower cladding layer. The position of peak light
intensity at the window structure of the active layer coincides with or
very closely approaches the position of the active layer.
Een apparaat van de halfgeleiderlaser omvat een lagere bekledingslaag van n-(Al0.66Ga0.34)0.5In0.5P, een actieve laag die een vensterstructuur heeft die een wanordelijke structuur MQW, een eerste hogere bekledingslaag van p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P, en een tweede hogere bekledingslaag heeft van (Al0.66Ga0.34)0.5In0.5P die opeenvolgend op een substraat n-gaAs wordt geschikt. r i Van de eerste hogere bekledingslaag is kleiner dan dat van de lagere bekledingslaag, en r i van de tweede hogere bekledingslaag is groter en identiek dan dat van de eerste hogere bekledingslaag aan dat van de lagere bekledingslaag. De positie van piek lichtintensiteit bij de vensterstructuur van de actieve laag valt samen met of zeer nadert dicht de positie van de actieve laag.
