A method for forming an oxide VCSEL (vertical cavity surface-emitting
laser) includes forming a VCSEL structure, forming an oxidation cavity
partially through the VCSEL structure, oxidizing a layer in the VCSEL
structure, forming a first passivation layer over a surface of the
oxidation cavity, and forming a second passivation layer over the first
passivation layer. An oxide VCSEL structure includes a bottom mirror
region, an active region atop the bottom mirror region, a top mirror
region atop the active region, an oxidation cavity partially through the
top mirror region, a first passivation layer covering a surface of the
oxidation cavity, and a second passivation layer covering the first
passivation layer. In both the method and the structure, the first
passivation layer can be made of silicon nitride (SiN) while the second
passivation layer can be made of silicon oxynitride (SiON).
Eine Methode für die Formung eines Oxids VCSEL (Oberfläche-ausstrahlender Laser des vertikalen Raums) schließt die Formung einer VCSEL Struktur ein und teilweise bildet einen Oxidation Raum durch die VCSEL Struktur, oxidiert eine Schicht in der VCSEL Struktur, bildet eine erste Passivierungschicht über einer Oberfläche des Oxidation Raums, und bildet einen zweiten Passivierungschichtüberschuß die erste Passivierungschicht. Eine Struktur des Oxids VCSEL schließt eine untere Spiegelregion, eine aktive Region auf der unteren Spiegelregion, einer oberen Spiegelregion auf der aktiven Region, einem Oxidation Raum teilweise durch die obere Spiegelregion, einer ersten Passivierungschicht, die eine Oberfläche des Oxidation Raums umfassen, und einer zweiten Passivierungschicht, welche die erste Passivierungschicht umfaßt ein. in der Methode und in der Struktur kann die erste Passivierungschicht vom Silikonnitrid (Sünde) gebildet werden während die zweite Passivierungschicht vom Silikon oxynitride (SiON) gebildet werden kann.
