A nitride semiconductor substrate including (a) a supporting substrate, (b)
a first nitride semiconductor layer having a periodical T-shaped
cross-section, having grown from periodically arranged stripe-like,
grid-like or island-like portions on the supporting substrate, and (c) a
second nitride semiconductor substrate covering said supporting substrate,
having grown from the top and side surfaces of said first nitride
semiconductor layer, wherein a cavity is formed under the second nitride
semiconductor layer.
A protective layer having a periodically arranged stripe-like, grid-like or
island-like apertures is formed on the supporting substrate. The first
nitride semiconductor layer is laterally grown from the exposed portion of
the substrate. The growth is stopped before the first nitride
semiconductor layer covers the supporting substrate. Thus, the first
nitride semiconductor layer has a periodical T-shaped cross-section. Then,
the protective layer is removed and the second nitride semiconductor layer
is grown from the top and side surface of the first nitride semiconductor
layer to cover the substrate.
Un substrat de semi-conducteur de nitrure comprenant (a) un substrat de support, (b) par première couche de semi-conducteur de nitrure ayant un périodique T-a formé la section transversale, ayant accru périodiquement d'disposé raie-comme, grille-comme ou île-comme des parties sur le substrat de support, et (c) un deuxième substrat de semi-conducteur de nitrure couvrant le substrat de support , ayant accru des surfaces de dessus et de côté de ladite première couche de semi-conducteur de nitrure, où une cavité est formée sous la deuxième couche de semi-conducteur de nitrure. Une couche protectrice ayant périodiquement disposé raie-comme, grille-comme ou île-comme des ouvertures est formée sur le substrat de support. La première couche de semi-conducteur de nitrure est latéralement développée de la partie exposée du substrat. La croissance est arrêtée avant que la première couche de semi-conducteur de nitrure couvre le substrat de support. Ainsi, la première couche de semi-conducteur de nitrure a une section transversale T-formée par périodique. Puis, la couche protectrice est enlevée et la deuxième couche de semi-conducteur de nitrure est développée de la surface de dessus et de côté de la première couche de semi-conducteur de nitrure pour couvrir le substrat.
