A hetero field effect transistor according to the present invention
comprises an InP substrate, a channel layer provided on the InP substrate
with a buffer layer disposed between the InP substrate and the channel
layer, a spacer layer constituted by a semiconductor having a band gap
larger than that of the channel layer formed to hetero-join to the channel
layer, and a carrier supply layer formed to be adjacent to the spacer
layer, wherein the channel layer comprises a predetermined semiconductor
layer constituted by a compound semiconductor represented by a formula
Ga.sub.x In.sub.1-x N.sub.y A.sub.1-y in which A is As or Sb, composition
x satisfies 0.ltoreq.x.ltoreq.0.2, and composition y satisfies
0.03.ltoreq.y.ltoreq.0.10.
Un transistor de efecto de campo del hetero según la actual invención abarca un substrato del INP, una capa del canal proporcionada en el substrato del INP de una capa del almacenador intermediario dispuesta entre el substrato del INP y la capa del canal, una capa del espaciador constituidas por un semiconductor que tiene un boquete de la venda más grande que el de la capa del canal formada hetero-para ensamblar a la capa del canal, y a una capa de la fuente del portador formada para estar adyacente a la capa del espaciador, en donde la capa del canal abarca una capa predeterminada del semiconductor constituida por un semiconductor compuesto representado por un fórmula Ga.sub.x In.sub.1-x N.sub.y A.sub.1-y en el cual A esté como o sb, la composición x satisface 0.ltoreq.x.ltoreq.0.2, y la composición y satisface 0.03.ltoreq.y.ltoreq.0.10.
