A silicon-on-insulator (SOI) gated diode and non-gated junction diode are
provided. The SOI gated diode has a PN junction at the middle region under
the gate, which has more junction area than a normal diode. The SOI
non-gated junction diode has a PN junction at the middle region thereof,
and also has more junction area than a normal diode. The SOI diodes of the
present invention improve the protection level offered for electrical
overstress (EOS)/electrostatic discharge (ESD) due to the low power
density and heating for providing more junction area than normal ones. The
I/O ESD protection circuits, which comprise primary diodes, a first
plurality of diodes, and a second plurality of diodes, all of which are
formed of the present SOI diodes, could effectively discharge the current
when there is an ESD event. And the ESD protection circuits, which
comprise more primary diodes, could effectively reduce the parasitic input
capacitance, so that they can be used in the RF circuits or HF circuits.
The proposed gated diode and non-gated diode can be fully
process-compatiable to general partially-depleted or fully-depleted
silicon-on-insulator CMOS processes.
Обеспечены диод кремни-на-izol4tora (SOI) отстробированный и нон-otstrobirovanny1 диод соединения. Диод отстробированный SOI имеет соединение pn на средней зоне под стробом, который имеет больше зоны соединения чем нормальный диод. Нон-otstrobirovanny1 SOI диод соединения имеет соединение pn на средней зоне thereof, и также имеет больше зоны соединения чем нормальный диод. Диоды SOI присытствыющего вымысла улучшают уровень предохранения предложенный для электрического overstress (разрядки EOS)/electrostatic (ESD) должной к низким плотности и топлению мощности для обеспечивать больше зоны соединения чем нормальный одни. Цепи предохранения от I/O ESD, которые состоят из главным образом диодов, первой множественности диодов, и второй множественности диодов, все из которых сформированы присытствыющих диодов SOI, смогли эффективно discharge течение когда будет случай ESD. И цепи предохранения от ESD, которые состоят из более главным образом диодов, смогли эффективно уменьшить паразитную емкость входного сигнала, так, что их можно использовать в цепях rf или цепях hf. Предложенный отстробированный диод и нон-otstrobirovanny1 диод могут быть полно proqessom-compatiable к процессам генералитета частично-isto5ennym или полн-isto5ennym кремни-на-izol4tora cmos.
