A nonvolatile memory device includes a semiconductor wall having an
inclination angle and a gate electrode covered with the semiconductor
wall. A pair of buried diffusion layers may be formed at a lower surface
and upper surface formed by the semiconductor wall. A charge trap
insulating layer may be sandwiched between the gate electrode and the
semiconductor wall. The semiconductor wall between the buried diffusion
layers may correspond to a channel of the memory device. In a method of
fabricating the memory device, a pattern having a sidewall may be formed
on a semiconductor substrate. A buried oxide layer may be formed at the
upper surface and another buried oxide layer may be formed at the lower
surface. A charge trap insulating layer may be formed at the sidewall
where the buried oxide layers are formed. A gate electrode may be formed
on the charge trap insulating layer. A semiconductor substrate may be
formed to form a trench, so that the sidewall may be obtained.
Un dispositivo di memoria non volatile include una parete a semiconduttore che ha un angolo di inclinazione e un elettrodo di cancello coperti di parete a semiconduttore. Un accoppiamento degli strati sepolti di diffusione può essere formato ad un intradosso e ad una superficie superiore costituiti dalla parete a semiconduttore. Uno strato isolante della presa della carica può essere intramezzato fra l'elettrodo di cancello e la parete a semiconduttore. La parete a semiconduttore fra gli strati sepolti di diffusione può corrispondere ad una scanalatura del dispositivo di memoria. In un metodo di fabbricare il dispositivo di memoria, un modello che ha un muro laterale può essere formato su un substrato a semiconduttore. Uno strato sepolto dell'ossido può essere formato alla superficie superiore e un altro strato sepolto dell'ossido può essere formato all'intradosso. Uno strato isolante della presa della carica può essere formato al muro laterale in cui gli strati sepolti dell'ossido sono formati. Un elettrodo di cancello può essere formato sullo strato isolante della presa della carica. Un substrato a semiconduttore può essere formato per formare una trincea, di modo che il muro laterale può essere ottenuto.
