A non-volatile memory device includes a semiconductor substrate and a
source and drain within the substrate. A dielectric stack is formed over
the substrate. The dielectric stack includes a thin top dielectric layer.
A gate electrode is formed over the dielectric stack. The memory device is
operative to perform a direct tunneling channel erase operation in which a
pair of charge storing cells within a charge storing layer are erased via
direct tunneling through the thin top dielectric layer.
Un bloc de mémoires non-volatile inclut un substrat de semi-conducteur et une source et un drain dans le substrat. Une pile diélectrique est formée au-dessus du substrat. La pile diélectrique inclut une couche diélectrique supérieure mince. Une électrode de porte est formée au-dessus de la pile diélectrique. Le bloc de mémoires est opératif pour exécuter un canal direct de perçage d'un tunnel effacent l'opération dans laquelle une paire de charge stockant des cellules dans une charge stockant la couche sont effacées par l'intermédiaire du perçage d'un tunnel direct par la couche diélectrique supérieure mince.
