A radiometric system (10) typically used in semiconductor wafer processing
has reduced optical losses, improved wavelength selectivity, improved
signal to noise, and improved signal processing to achieve wafer
temperature measurements from about 10.degree. C. to 4,000.degree. C. A
YAG rod collection optic (12) directly couples specimen radiation (14) to
a filter (18) and photo detector (20). The filter determines which
radiation wavelengths are measured, and optionally includes a hot/cold
mirror surface (22) for reflecting undesired radiation wavelengths back to
the specimen. The detector is formed from doped GaAlAs having a peaked
response near 900 nm. A signal processor (28) converts the signal into a
temperature reading.
Ein radiometrisches System (10) gewöhnlich benutzt, bei der Halbleiterplättchenverarbeitung hat optische Verluste, verbesserte Wellenlängeselektivität, verbessertes Signal noise und die verbesserte Signalaufbereitung, zum von von Oblatetemperaturmaßen von 10.degree ungefähr zu erzielen verringert. C. zu 4,000.degree. C. Eine YAG Stange Ansammlung Optik(12) verbindet direkt Probestückstrahlung (14) zu einem Filter (18) und zum Fotodetektor (20). Der Filter stellt fest, welche Strahlung Wellenlängen gemessen werden, und schließt beliebig eine hot/cold Spiegeloberfläche (22) für reflektierende unerwünschte Strahlung Wellenlängen zurück zu dem Probestück ein. Der Detektor wird von lackiertem GaAlAs gebildet, das eine emporgeragte Antwort nahe 900 nm hat. Ein Signalprozessor (28) wandelt das Signal in einen Temperaturmesswert um.
