A contact structure is provided incorporating an amorphous titanium nitride
barrier layer formed via low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)
utilizing tetrakis-dialkylamido-titanium, Ti(NMe.sub.2).sub.4, as the
precursor. The contact structure is fabricated by etching a contact
opening through a dielectric layer down to a diffusion region to which
electrical contact is to be made. Titanium metal is deposited over the
surface of the wafer so that the exposed surface of the diffusion region
is completely covered by a layer of the metal. At least a portion of the
titanium metal layer is eventually converted to titanium silicide, thus
providing an excellent conductive interface at the surface of the
diffusion region. A titanium nitride barrier layer is then deposited using
the LPCVD process, coating the walls and floor of the contact opening.
Chemical vapor deposition of polycrystalline silicon or of a metal
follows.
Una estructura del contacto se proporciona que incorpora una capa de barrera titanium amorfa del nitruro formada vía la deposición de vapor químico de baja presión (LPCVD) que utiliza el tetrakis-dialkylamido-titanio, Ti(NMe.sub.2).sub.4, como el precursor. La estructura del contacto es fabricada grabando al agua fuerte una abertura del contacto con una capa dieléctrica abajo a una región de la difusión a la cual el contacto eléctrico deba ser hecho. El metal titanium se deposita sobre la superficie de la oblea de modo que la superficie expuesta de la región de la difusión sea cubierta totalmente por una capa del metal. Por lo menos una porción de la capa titanium del metal se convierte eventual al silicide titanium, así proporcionando un interfaz conductor excelente en la superficie de la región de la difusión. Una capa de barrera titanium del nitruro entonces se deposita usando el proceso de LPCVD, cubriendo las paredes y el piso de la abertura del contacto. La deposición de vapor químico del silicio polycrystalline o de un metal sigue.
