Semiconductor device having multi-layer wiring

   
   

The object is to pattern extremely fine integrated circuits by forming fine contact holes. The dry etching method is employed to form contact holes to pattern a wiring (114), using a mask made of metallic film (112) and an organic material as an inter-layer insulating film (111) for covering switching elements and each of the wirings.

L'oggetto è modellare i circuiti integrati estremamente fini formando benissimo i fori del contatto. Il metodo asciutto acquaforte è impiegato per formare i fori del contatto per modellare i collegamenti (114), usando una mascherina fatta della pellicola metallica (112) e un materiale organico come una pellicola isolante dello strato intermedio (111) per gli elementi di commutazione del covering e ciascuno dei collegamenti.

 
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