A lithographic imaging method of the present invention includes the initial
step of providing a substrate made from Mercury, Cadmium and Telluride
materials (HgCdTe). The HgCdTe substrate is coated with a
diazonaphthoquinone (DNQ) Novolak photoresist material to establish an
imaging medium. The imaging medium is exposed to an image pattern and then
developed in a tetra-methyl ammonium hydroxide (TMAH) solution. The TMAH
solution includes a fullerene (C.sub.60) material dissolved therein to
retard the subsequent etching of the imaging medium. The incorporation of
fullerene into the photoresist material indirectly via the developing
solution avoids the solubility and ultraviolet (UV) absorbance
disadvantages inherent in adding fullerenes directly to the photoresist
prior to placement on the substrate. After development, the imaging medium
is etched to transfer the recorded image pattern to the substrate. The
fullerene cooperates with the photoresist material to slow the etching
process, which allows for a highly reticulated HgCdTe detectors and IR
images having greatly enhanced resolution.
Eine lithographische Belichtung Methode der anwesenden Erfindung schließt den Ausgangsschritt des Zur Verfügung stellens eines Substrates ein, das von den Quecksilber-, Kadmium- und Telluridematerialien (HgCdTe) gebildet wird. Das HgCdTe Substrat wird mit einem diazonaphthoquinone (DNQ) Novolak Photoresistmaterial beschichtet, um ein Belichtung Mittel herzustellen. Das Belichtung Mittel wird einem Bildmuster ausgesetzt und entwickelt dann in einer TetramethylLösung des ammoniumhydroxids (TMAH). Die TMAH Lösung schließt ein fullerene (C.sub.60) Material ein, das darin aufgelöst wird, um die folgende Radierung des Belichtung Mittels zu verzögern. Die Gesellschaftsgründung von fullerene in das Photoresistmaterial indirekt über die sich entwickelnde Lösung vermeidet die Löslichkeit und ultravioletten (UV) die Absorption Nachteile, die wenn sie fullerenes direkt dem Photoresist vor Plazierung auf dem Substrat zugehörig sind, hinzufügt. Nach Entwicklung wird das Belichtung Mittel geätzt, um das notierte Bildmuster auf das Substrat zu bringen. Das fullerene arbeitet mit dem Photoresistmaterial zusammen, um den Radierung Prozeß zu verlangsamen, der ein in hohem Grade retikulierte HgCdTe Detektoren und IR die Bilder Auflösung groß erhöhend zuläßt.
