This invention provides a thermal-assisted switching magnetic memory
storage device. In a particular embodiment, a cross-point array of
conductive rows and columns is provided with offset tunnel junction
magnetic memory cells provided proximate to the intersections between the
rows and columns. A looping write conductor is provided close to, but not
in electrical contact with each memory cell. The looping write conductor
loops across the top and bottom of each memory cell. Each magnetic memory
cell provides a magnetic data layer characterized by a material wherein
the coercivity is decreased upon an increase in temperature, an
intermediate layer, and a reference layer. The magnetic fields provided by
the looping write conductor during a write operation are not sufficient to
alter the magnetic orientation of an unheated data layer, but may alter
the data layer of a memory cell warmed by a bias current tunneling through
the memory cell.
Questa invenzione fornisce un dispositivo di memorizzazione magnetico di commutazione termico-aiutato di memoria. In un procedimento particolare, un allineamento del incrocio delle file conduttive e le colonne è fornito di prossimo fornito magnetico delle cellule di memoria della giunzione di derivazione del traforo alle intersezioni fra le file e le colonne. Un ciclaggio scrive il conduttore è fornito vicino a, ma non nel contatto elettrico ogni cellula di memoria. Il ciclaggio scrive i cicli del conduttore attraverso l'alto ed il basso di ogni cellula di memoria. Ogni cellula di memoria magnetica fornisce uno strato di dati magnetico caratterizzato da un materiale in cui il coercivity è diminuito su un aumento nella temperatura, in uno strato intermedio ed in uno strato di riferimento. I campi magnetici hanno fornito dal ciclaggio scrivono il conduttore durante il funzionamento di scrittura non sono sufficienti per alterare l'orientamento magnetico di uno strato di dati non riscaldato, ma possono alterare lo strato di dati di una cellula di memoria scaldata da un traforo corrente diagonale attraverso la cellula di memoria.
