A trench-gate type transistor has a gate insulating film formed on an inner
wall of a trench. The gate insulating film includes a first portion
located on a wall of the trench and a second portion located on upper and
bottom portions of the trench. The first portion includes a first oxide
film, a nitride film, and a second oxide film. The second portion includes
only an oxide film and is thicker than the first portion. Accordingly,
electric field concentration on upper and lower corner portions of the
trench can be reduced to improve the withstand voltage. In addition, and
end of the trench may have an insulation layer that is thicker than the
first portion.
Un tipo transistore del trincea-cancello ha una pellicola isolante del cancello formata su una parete interna di una trincea. La pellicola isolante del cancello include una prima parte posizionata su una parete della trincea e una seconda parte posizionata sulle parti della parte inferiore e della tomaia della trincea. La prima parte include una prima pellicola dell'ossido, una pellicola del nitruro e una seconda pellicola dell'ossido. La seconda parte include soltanto una pellicola dell'ossido ed è più spessa della prima parte. Di conseguenza, la concentrazione del campo elettrico sulle parti d'angolo superiori e più basse della trincea può essere ridotta per migliorare la tensione di withstand. In più ed estremità della trincea può avere uno strato dell'isolamento che è più spesso della prima parte.
