Various circuit devices incorporating junction-traversing dislocation
regions and methods of making the same are provided. In one aspect, a
method of processing is provided that includes forming an impurity region
in a device region of a semiconductor-on-insulator substrate. The impurity
region defines a junction. A dislocation region is formed in the device
region that traverses the junction. The dislocation region provides a
pathway to neutralize charge lingering in a floating body of a device.
Обеспечены различные приспособления цепи включая соединени-traversiruh5 зоны вывихивания и методы делать эти же. В одном аспекте, метод обрабатывать находится provided that вклюает формировать зону примеси в зону приспособления субстрата полупроводник-на-izol4tora. Зона примеси определяет соединение. Зона вывихивания сформирована в зоне приспособления траверсирует соединение. Зона вывихивания обеспечивает pathway для того чтобы нейтрализовать обязанность lingering в плавая теле приспособления.
