SRAM cell and method for fabricating the same, the SRAM cell including a
first local interconnection connected between first terminals of the first
access transistor, the first load transistor, and the first drive
transistor, and gates of the second load transistor, and the second drive
transistor electrically, and a second local interconnection connected
between first terminals of the second access transistor, the second load
transistor, and the second drive transistor, and gates of the first load
transistor, and the first drive transistor electrically, thereby reducing
an area of the SRAM cell.
De cel SRAM en de methode om het zelfde te vervaardigen, de cel SRAM met inbegrip van een eerste lokale interconnectie verbonden elektrisch tussen eerste terminals van de eerste toegangstransistor, de eerste ladingstransistor, en de eerste aandrijvingstransistor, en poorten van de tweede ladingstransistor, en de tweede aandrijvingstransistor, en een tweede lokale interconnectie die tussen eerste terminals van de tweede toegangstransistor, de tweede ladingstransistor, en de tweede aandrijvingstransistor, en poorten van de eerste ladingstransistor, en de eerste aandrijvingstransistor elektrisch wordt verbonden, daardoor verminderend een gebied van de cel SRAM.
