A composition and method for fabricating a semiconductor wafer containing
copper is disclosed, which method includes plasma etching a dielectric
layer from the surface of the wafer, plasma ashing a resist from the
surface of the wafer, and cleaning the wafer surface by contacting same
with a cleaning formulation, which includes the following components and
their percentage by weight ranges shown: (a) from about 0.01 to 80% by
weight organic solvent, (b) from about 0.01 to 30% by weight copper
chelating agent, (c) from about 0.01 to 10% by weight copper inhibitor,
and (d) from about 0.01 to 70% by weight water.
Ein Aufbau und eine Methode für das Fabrizieren eines Halbleiterplättchens, das Kupfer enthält, wird freigegeben, dem Methode das Plasma miteinschließt, das eine dielektrische Schicht von der Oberfläche der Oblate, das Plasma ätzt, das widerstehen von der Oberfläche der Oblate verascht und die Oblateoberfläche säubert, indem sie mit selben mit einer Reinigung Formulierung in Verbindung tritt, die die folgenden Bestandteile und ihren Prozentsatz nach Gewicht die gezeigten Strecken einschließt: (a) von ungefähr 0.01 bis 80% nach Gewicht organisches Lösungsmittel, (b) von ungefähr 0.01 bis 30% nach Gewicht kupfernes Cheliermittel, (c) von ungefähr 0.01 bis 10% nach Gewicht Kupferhemmnis und (d) von ungefähr 0.01 bis 70% nach Gewicht Wasser.
