A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, an interlayer
insulating film formed on the semiconductor substrate, a first pad, a
second pad and a conductor. The first pad is formed on the interlayer
insulating film and its circumferential edges are covered with a first
surface-protecting film. The second pad formed on the interlayer
insulating film facing the first pad across a second surface-protecting
film, and its circumferential edges are covered with a third
surface-protecting film. The conductor is provided continuously on the
first pad, the first to third surface-protecting films, and the second
pad.
Un dispositivo a semiconduttore contiene un substrato a semiconduttore, una pellicola isolante dello strato intermedio formata sul substrato a semiconduttore, un primo rilievo, un secondo rilievo e un conduttore. Il primo rilievo è formato sulla pellicola isolante dello strato intermedio ed i relativi bordi della circonferenza sono coperti di prima pellicola diprotezione. Il secondo rilievo formato sulla pellicola isolante dello strato intermedio che affronta il primo rilievo attraverso una seconda pellicola diprotezione ed i relativi bordi della circonferenza sono coperti di terza pellicola diprotezione. Il conduttore è fornito continuamente sul primo rilievo, le prime - terze pellicole diprotezione ed il secondo rilievo.
