A semiconductor device die (10, 116) is disposed on a heat-sinking support
structure (30, 100). Nanotube regions (52, 120) contain nanotubes (54,
126) are arranged on a surface of or in the heatsinking support structure
(30, 100). The nanotube regions (52, 120) are arranged to contribute to
heat transfer from the semiconductor device die (10, 116) to the
heat-sinking support structure (30, 100). In one embodiment, the
semiconductor device die (10) includes die electrodes (20, 22), and the
support structure (30) includes contact pads (40, 42) defined by at least
some of the nanotube regions (52). The contact pads (40, 42) electrically
and mechanically contact the die electrodes (20, 22). In another
embodiment, the heat-sinking support structure (100) includes
microchannels (120) arranged laterally in the support structure (100). At
least some of the nanotube regions are disposed inside the microchannels
(100).
Um dado do dispositivo de semicondutor (10, 116) é disposto em uma estrutura calor-afundando-se da sustentação (30, 100). As regiões de Nanotube (52, 120) contêm os nanotubes (54, 126) são arranjadas em uma superfície ou na estrutura heatsinking da sustentação (30, 100). As regiões do nanotube (52, 120) são arranjadas para contribuir a transferência de calor do dado do dispositivo de semicondutor (10, 116) à estrutura calor-afundando-se da sustentação (30, 100). Em uma incorporação, o dado do dispositivo de semicondutor (10) inclui os elétrodos do dado (20, 22), e a estrutura da sustentação (30) inclui as almofadas do contato (40, 42) definidas ao menos por algumas das regiões do nanotube (52). As almofadas do contato (40, 42) contatam eletricamente e mecanicamente os elétrodos do dado (20, 22). Em uma outra incorporação, a estrutura calor-afundando-se da sustentação (100) inclui os microchannels (120) arranjados lateralmente na estrutura da sustentação (100). Ao menos algumas das regiões do nanotube são dispostas dentro dos microchannels (100).
