A coil (50) is placed adjacent to a semiconductor wafer (10). An AC
excitation current is used to create a changing electromagnetic field (60)
is the wafer (10). The wafer is heated by a heat source (20) and the
conductivity of the wafer (10) will change as a function of the wafer
temperature. Induced eddy currents will cause the inductance of the coil
(50) to change and the temperature of the wafer (10) can be determined by
monitoring the inductance of the coil (50).
Una bobina (50) se coloca adyacente a una oblea de semiconductor (10). Una corriente de la excitación de la CA se utiliza para crear un campo electromagnético que cambia (60) es la oblea (10). La oblea es calentada por una fuente de calor (20) y la conductividad de la oblea (10) cambiará en función de la temperatura de la oblea. Las corrientes de Foucault inducidas causarán la inductancia de la bobina (50) al cambio y la temperatura de la oblea (10) puede ser determinada supervisando la inductancia de la bobina (50).
