A semiconductor laser device that is suitable for mass production, that
permits an improved wire layout, and that permits miniaturization includes
leads disposed through each of two side faces of an insulating frame
member so as to run from outside to inside the insulating frame member, an
LD and a light-receiving element mounted inside the insulating frame
member, and wires laid inside the insulating frame member so as to connect
the leads to the electrodes of the LD and the light-receiving element.
Inside the insulating frame member, the tip of one lead is extended
farther inward than the edge of an element mount portion that faces the
tip of another lead that is disposed through the same side face of the
insulating frame member.
Un dispositivo del laser del semiconductor que es conveniente para la producción en masa, que permite una disposición mejorada del alambre, y que permite miniaturización incluye los plomos dispuestos con cada uno de dos caras laterales de un miembro aislador del marco para funcionar de exterior al interior al miembro aislador del marco, un LD y un elemento de luz-recepcio'n montaran el interior el miembro aislador del marco, e interior puesto los alambres el miembro aislador del marco para conectar conduzca a los electrodos del LD y del elemento de luz-recepcio'n. Dentro del miembro aislador del marco, la extremidad de un plomo es interior más lejano extendido que el borde de una porción del montaje del elemento que haga frente a la extremidad de otro plomo que se dispone a través de la misma cara lateral del miembro aislador del marco.
