A temperature compensated RRAM sensing circuit to improve the RRAM
readability against temperature variations is disclosed. The circuit
comprises a temperature dependent element to control the response of a
temperature compensated circuit to generate a temperature dependent signal
to compensate for the temperature variations of the resistance states of
the memory resistors. The temperature dependent element can control the
sensing signal supplied to the memory resistor so that the resistance
states of the memory resistor are compensated against temperature
variations. The temperature dependent element can control the reference
signal supplied to the comparison circuit so that the output signal
provided by the comparison circuit is compensated against temperature
variations. The temperature dependent element is preferably made of the
same material and process as the memory resistors.
Ένα αντισταθμισμένο θερμοκρασία αισθαμένος κύκλωμα RRAM για να βελτιώσει την αναγνωσιμότητα RRAM ενάντια στις παραλλαγές θερμοκρασίας αποκαλύπτεται. Το κύκλωμα περιλαμβάνει ένα εξαρτώμενο στοιχείο θερμοκρασίας για να ελέγξει την απάντηση ενός αντισταθμισμένου θερμοκρασία κυκλώματος για να παραγάγει ένα εξαρτώμενο σήμα θερμοκρασίας για να αντισταθμίσει τις παραλλαγές θερμοκρασίας των καταστάσεων αντίστασης των αντιστατών μνήμης. Το εξαρτώμενο στοιχείο θερμοκρασίας μπορεί να ελέγξει το αισθαμένος σήμα που παρέχεται στον αντιστάτη μνήμης έτσι ώστε οι καταστάσεις αντίστασης του αντιστάτη μνήμης αντισταθμίζονται ενάντια στις παραλλαγές θερμοκρασίας. Το εξαρτώμενο στοιχείο θερμοκρασίας να ελέγξει το σήμα αναφοράς που παρέχεται στο κύκλωμα σύγκρισης έτσι ώστε το σήμα παραγωγής που παρέχεται μπορεί από το κύκλωμα σύγκρισης αντισταθμίζεται ενάντια στις παραλλαγές θερμοκρασίας. Το εξαρτώμενο στοιχείο θερμοκρασίας αποτελείται κατά προτίμηση από το ίδιες υλικό και τη διαδικασία με τους αντιστάτες μνήμης.
